GB-T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱

ICS 29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30453—2013 硅材料原生缺陷图谱 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon 2013-12-31发布 2014-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 GB/T30453—2013 目次前言 II 范围规范性引用文件 2 3 术语和定义硅多晶结构的不完整性 4 5 硅单晶晶体缺陷 6硅片加工缺陷硅外延片缺陷附录A（资料性附录）氢致缺陷图 76 索引 79 GB/T30453—2013 前言本标准按照GB/T1.1—2009制定的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2)提出并归口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人：孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云雷、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊。

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