ICS 31.260 F 12 ZZB 浙江制造团体标准 T/ZZB 1041—2019 多晶硅太阳电池 Polycrystalline silicon solar cell 2019 - 03 - 27发布 2019 - 04 - 30实施 浙江省品牌建设联合会 发布 ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 I 目 次 前言 ................................................................................ II 1 范围 .............................................................................. 1 2 规范性引用文件 .................................................................... 1 3 术语与定义 ........................................................................ 1 4 基本要求 .......................................................................... 1 5 技术要求 .......................................................................... 3 6 试验方法 .......................................................................... 4 7 检验规则 .......................................................................... 5 8 标识、包装、贮存、运输 ............................................................ 6 9 质量和服务承诺 .................................................................... 6 附录A（规范性附录） 多晶硅太阳电池外观要求 .......................................... 7 附录B（规范性附录） 多晶硅太阳电池电致发光缺陷检验项目及要求 ........................ 9 ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 II 前 言 本标准依据 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准由浙江省品牌建设联合会提出并归口。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。 本标准主要起草单位：浙江贝盛光伏股份有限公司。 本标准主要起草人：邱小永、姚春梅、赵庆国、周海权、吕文辉、林兵、王行柱、陆波、张炎、李 小飞、何一峰、李加文、王华卫。 本标准由浙江省质量合格评定协会进行解释。 ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 1 多晶硅太阳电池 1 范围 本标准规定了多晶硅太阳电池的术语与定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、 包装、运输和贮存、质量与服务承诺。 本标准适用于光电转换效率≥18.2% 的A级品多晶硅太阳电池。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件， 仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 2297 太阳光伏能源系统术语 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（ AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2829 周期检验计数抽样程序及表（适用于生产过程稳定性的检查） GB/T 6495.1 —1996 光伏器件 第1部分：光伏电流-电压特性的测量 GB/T 6495.3—1996 光伏器件 第3部分:地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GB/T 14601 电子工业用气体氨 GB/T 15909 电子工业用气体硅烷 GB/T 25074 太阳能级多晶硅 GB/T 29195—2012 地面用晶体硅太阳电池总规范 GB 30484—2013 电池工业污染排放标准 YS/T 612—2006 太阳能电池用浆料 IEC 60891 —2009 光伏器件测定 I-V特性的温度和辐照度校正方法用程序（Photovoltaic devices - Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I -V characteristics ） 3 术语与定义 GB/T 2297 界定的及下列术语和定义适用于本文件 。 3.1 EL测试 即电致发光测试（ Electroluminescence test ），通过利用多晶硅太阳电池的电致发光原理，配合 高分辨率的红外相机拍摄多晶硅太阳电池的近红外图像，通过图像软件对获取成像 图像并分析处理，从 而对多晶硅太阳电池的缺陷进行判定。 4 基本要求 4.1 原材料 ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 2 4.1.1 多晶硅片 多晶硅片应符合 GB/T 25074标准的要求。 4.1.2 浆料 制作多晶硅太阳电池的正面电极，背面电极及背电场的浆料，应符合YS/T 612 —2006标准的要求。 4.1.3 氨气 制作多晶硅太阳电池的减反射膜的氨气，应符合GB/T 14601—2009 标准的要求。 4.1.4 硅烷 制作多晶硅太阳电池的减反射膜的硅烷，应符合GB/T 15909—2017 标准的要求。 4.2 设计与工艺 4.2.1 设计 应配备先进的软件设计开发软件、仿真测试系统，具备多晶硅光伏电池开发、生产工艺及产品验证 等方面的设计能力。 4.2.2 工艺 4.2.2.1 多晶硅太阳电池生产应具备适合批量生产的智能化、 自动化装配流水线和规范化的工艺规程。 4.2.2.2 多晶硅太阳电池生产应具备制作绒面、制作发射结、背面及边缘刻蚀、制作减反射膜、印刷 电极、烧结等关键工艺过程的智能化、自动化生产能力。 4.2.2.3 多晶硅太阳电池关键工艺要求见表 1。 表1 关键工艺的要求 关键工艺 要求 制作绒面 通过湿化学腐蚀法对多晶硅片进行腐蚀，制作低反射率、外观无明显色差的绒面 制作发射结 通过高温扩散方式制作均匀性一致的发射结 背面及边缘刻蚀 通过湿化学腐蚀法对多晶硅片边缘及背面进行腐蚀，减小漏电流 制作减反射膜 通过PECVD方式制作多层减反射膜，膜颜色应均匀一致 印刷电极 通过丝网印刷方式制作表面电极，电极应具有良好的可焊性 烧结 通过高温方式电池进行烧结，电池形成良好的欧姆接触 4.2.2.4 应具备完善的废水、废气处理系统，生产过程中污染物排放应符合 GB 30484—2013规定的排 放限值。 4.3 检测能力 4.3.1 企业应配备独立的检测实验室，环境条件满足检测要求。 4.3.2 过程检验至少配备以下检测设备，具备绒面质量监测、发射结质量监测、背面及边缘刻蚀质量 监测、反射膜质量监测、电极印刷质量监测、成品质量检测等检测能力。 4.3.3 至少应配备以下检测设备： a) 0.1 mg分析天平； ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 3 b) 反射率测试仪； c) 方阻测试仪； d) 椭偏仪； e) 电致发光测试； f) 外观及颜色测试仪。 5 技术要求 5.1 外观 多晶硅光伏电池正反面外观应符合附录A 的要求。 5.2 尺寸 尺寸应符合表2 要求。 表2 多晶硅太阳电池的尺寸 产品要求 指标 尺寸公差（mm） ±0.25 厚度偏差（µm ） ±20 总厚度偏差（µm ） 30 注1：厚度偏差：电池厚度的测量值与标称值的最大允许差值。 注2：总厚度偏差：在一系列点的厚度（包含电极厚度）测量中，所测电池的最大厚度与最小厚度的绝对差值。 5.3 力学性能 5.3.1 弯曲度 多晶硅太阳电池弯曲度应≤2 mm 。弯曲度如图 1 所示。 图1 弯曲度 5.3.2 抗拉强度 电极附着应牢固，电极附着强度及电极与焊点的抗拉强度不小于2 N/mm。 5.3.3 附着强度 背面铝膜与基体材料的附着强度应满足平均值大于 16 N。 5.3.4 隐性裂纹 多晶硅太阳电池体内不应有影响性能的隐性裂纹。 ZHEJIANG MADET/ZZB 1041 —2019 4 5.4 电性能 5.4.1 电性能参数 多晶硅太阳电池的转换效率应≥ 18.2%。 电池的漏电流Irev2 （在加载 -12V反向偏压的条件下）应≤ 1 A