ICS31-030 L90 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.8—2015 代替GB/T5594.8—1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分:显微结构测定方法 Testmethodsforpropertiesofstructureceramic usedinelectroniccomponentsanddevice— Part8:Testmethodformicrostructure 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分: ———气密性测试方法(GB/T5594.1); ———杨氏弹性模量 泊松比测试方法(GB/T5594.2); ———第3部分:平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); ———第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法(GB/T5594.4); ———体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); ———第6部分:化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); ———第7部分:透液性测定方法(GB/T5594.7); ———第8部分:显微结构测定方法(GB/T5594.8); ———电击穿强度测试方法(GB/T5594.9)。 本部分为GB/T5594的第8部分。 本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本部分代替GB/T5594.8—1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 显微结构的测定》。 本部分与GB/T5594.8—1985相比,主要有下列变化: ———标准名称改为:“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第8部分:显微结构测定方法; ———“3.1 显微结构”定义中,增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等; ———“4 样品的制备”中,增加了“小尺寸样品,可以直接采用单面磨制”; ———“7 测试结果的综合表示”中,增加了部分显微结构照片,将晶粒大小放在前面。显微缺陷、 气孔数量、玻璃相等部分放在后面; ———删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法(见GB/T5594.8—1985中4.2.2、4.3)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出。 本部分由中国电子技术标准化研究院归口。 本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银 洋陶瓷器件有限公司。 本部分主要起草人:江树儒、曹易、高永泉、翟文斌。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T5594.8—1985。 ⅠGB/T5594.8—2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分:显微结构测定方法 1 范围 GB/T5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显 微结构的测定方法。 本部分适用于氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定。 本部分只涉及光学显微镜的测定内容和测定方法。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T9530—1988 电子陶瓷名词 3 术语和定义 GB/T9530—1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 显微结构 microstructure 晶相(主晶相、次晶相)、玻璃相、气相、晶界等的组成、形态、大小、数量、种类、分布、均匀度、缺陷、相 间物质等的在空间上的相互排列和组合关系。 3.2 晶相 crystalphase 在多相系统中由晶体构成的部分。 3.3 气孔 pore 存在于陶瓷体中的小孔。与大气连通的称开口气孔,封闭的称闭口气孔,包在晶粒内部的称晶内气 孔,处在晶粒之间的称晶间气孔。 3.4 玻璃相 glassphase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成。 4 样品的制备 样品尺寸酌情而定。对于小尺寸样品,可以直接采用单面磨制;一般样品可取10mm×10mm× 5mm(长×宽×厚)或ϕ10mm×5mm,并根据分析要求磨制成下列任何一种试样: 1GB/T5594.8—2015 a) 光片:单面抛光,然后采用化学侵蚀、热侵蚀等方法,使其晶界显露; b) 薄片:将样品的厚度磨至30μm; c) 光薄片:将薄片单面抛光; d) 超薄光薄片:双面抛光,将样品的厚度磨至30μm以下。 5 测量仪器 各种类型的偏光显微镜、反光显微镜和全自动图像分析仪。 6 测定内容和测定方法 6.1 晶相 6.1.1 概述 先确定陶瓷中各种晶体的名称,分别主、次晶相,然后再依次测定下列项目。 6.1.2 晶相形态 6.1.2.1 晶形的完整性 根据晶体生长发育情况,可分为自形晶、半自形晶和他形晶。 6.1.2.2 晶体的形态 可分为粒状、针状、柱状(或短柱状)、网状、板状和鳞片状等。 6.1.3 晶粒大小 6.1.3.1 概述 测定时可采用显微镜中的目镜刻度尺、数字显示显微镜测定仪和全自动图像分析仪进行测量。晶 粒大小的分类和命名如表1所示。 表1 粒径的分类和命名 单位为微米 隐晶质 微晶粒 细晶粒 中晶粒 粗晶粒 粗大晶粒 d<0.2 0.2≤d<1 1≤d<10 10≤d<30 30≤d<100 d≥100 6.1.3.2 平均粒径 测量方法同上,分别测量出上述晶粒,然后取其平均值(晶粒数根据不同情况而定,一般不少于 100颗)。 6.1.3.3 粒径大小的差异 根据晶粒大小的差异,可以分为以下三种类型: a) 均粒状:晶粒大小相近,或虽有少量大晶粒存在,但大小晶粒粒径之比小于3∶1; b)非均粒状:非均粒状亦可称为似斑状,晶粒大小有差异,但晶粒大小粒径之比小于5∶1; c)斑状:晶体颗粒差异较大,晶粒粒径之比超过5∶1。 2GB/T5594.8—2015