ICS31.030
L90
中华人民共和国国家标准
GB/T14619—2013
代替GB/T14619—1993
厚
膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits
2013-11-12发布 2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准替代GB/T14619—1993《厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T14619—1993相比主
要的技术变化如下:
———增加了术语和产品标识(见第3章和第4章);
———增加了对采用标称氧化铝含量表示基片类型时,实际氧化铝含量值的要求(见4.3);
———增加了凹坑的直径(见表1);
———增加了非96%氧化铝瓷的分类,并给出了指标(见表5);
———增加了孔的要求(见5.2.2);
———细化了划线后基片尺寸指标的要求(见5.2.3);
———对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:曹易、李晓英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14619—1993。
ⅠGB/T14619—2013
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
1 范围
本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和
贮存。
本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝
陶瓷基片(以下简称基片)也可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1958 产品几何量技术规范(GPS) 形状和位置偏差检测规定
GB/T2413 压电陶瓷材料体积密度测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查)
GB/T5593 电子元器件结构陶瓷材料
GB/T5594.3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法
GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介电常数和介质损耗角正切值的测试
方法
GB/T5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法
GB/T5594.7 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 透液性测试方法
GB/T5598 氧化铍瓷导热系数测定方法
GB/T6062 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 接触(触针)式仪器的标称特性
GB/T6569 精细陶瓷弯曲强度试验方法
GB/T6900 铝硅系耐火材料化学分析方法
GB/T9531.1—1988 电子陶瓷零件技术条件
GB/T16534—2009 精细陶瓷室温硬度试验方法
GJB548B—2005 微电子器件试验方法和程序
GJB1201.1—1991 固体材料高温热扩散率测试方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
氧化铝陶瓷基片 aluminaceramicsubstrate;aluminasubstrate
可在其表面印制导体图形、膜元件或粘贴电子元器件的一种片状氧化铝陶瓷支撑物,简称基片。
1GB/T14619—2013
3.2
划线 scribing
采用激光或其他切割手段,在基片的表面预划刻的一条或多条线,形成了由分切片(3.3)构成的
联片。
3.3
分切片 scribedsegment
沿预划刻的线条掰开联片后,可获得的一个或多个外形符合工艺要求的基片或成膜基片。
3.4
裂纹 crack
未使基片完全破碎的、宽度比长度小得多的断裂痕。
3.5
瓷疱 blister
基片表面上破碎后可形成凹坑的疱。
3.6
凸脊 ridge
基片表面上长而窄的凸起。
3.7
毛刺 burr
基片表面上,由自身材料或外来颗粒形成的短小凸起。
3.8
划痕 scratch
基片表面上,长而窄的凹槽、刮擦或削切痕。
3.9
缺损 chip
边缘或角的一部分从基片上脱落后,留下的缺陷。
3.10
凹坑 pit
存在于基片表面的孔或凹陷。
4 标识
4.1 概述
基片用五组带下划线的符号(字母或数字)标识,各组数字之间用短横线隔开,标识示例如下:
A
基片材质代号(见4.2) 96
基片氧化铝含量(见4.3)-020
基片标称厚度(见4.4)-Ⅲ
基片外形尺寸公差范围(见4.5)-030
基片表面粗糙度(见4.6)
注:如供需双方商定产品允许偏差不属于表2规定的级,可用“X”标识。
2GB/T14619—2013
GB-T 14619-2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
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