ICS31.200 L56 中华人民共和国国家标准 GB/T14112—2015 代替GB/T14112—1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semiconductorintegratedcircuits— SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 技术要求 1 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 引线框架尺寸 1 ……………………………………………………………………………………… 4.2 引线框架形状和位置公差 2 ………………………………………………………………………… 4.3 引线框架外观 3 ……………………………………………………………………………………… 4.4 引线框架镀层 3 ……………………………………………………………………………………… 4.5 引线框架外引线强度 4 ……………………………………………………………………………… 4.6 铜剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 4.7 银剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 5 检验规则 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 检验批的构成 4 ……………………………………………………………………………………… 5.2 鉴定批准程序 4 ……………………………………………………………………………………… 5.3 质量一致性检验 4 …………………………………………………………………………………… 6 订货资料 7 ………………………………………………………………………………………………… 7 标志、包装、运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………… 7.1 标志、包装 7 …………………………………………………………………………………………… 7.2 运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性附录) 引线框架机械测量 8 ……………………………………………………………… 附录B(规范性附录) 引线框架高温和机械试验 16 ……………………………………………………… 附录C(资料性附录) 批允许不合格率(LTPD)抽样方案 18 …………………………………………… ⅠGB/T14112—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14112—1993《半导体集成电路 塑封双列封装冲制型引线框架规范》。 本标准与GB/T14112—1993相比主要变化如下: ———关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用 文件GB/T2423.60—2008、SJ20129; ———增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义; ———标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的 有关要求; ———修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标 准在整个标称长度上进行规定; ———修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm, 本标准根据材料的厚度进行规定; ———修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标 准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定; ———修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值,本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定; ———修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求; ———修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准 修改为0.1mm; ———修改了标准中对“精压区共面性”的要求(见4.2.8):原标准中规定了引线框架条宽大于 50.8mm,精压区共面性为±0.25mm,本标准修改为±0.2mm; ———修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况 下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm; ———对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能 区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的 要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个; ———修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm(平 均值),本标准修改为不小于3μm; ———修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关 要求; ———增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6); ———增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7); ———修改了标准中对“检验要求”的要求:修改了原标准中A1a、A1b、A2分组的检测水平及AQL, 并对A1a、A1b,B2a、B2b分组进行合并;原标准中B组采用LTPD抽样方案,本标准将B1、 B2、B3修改为AQL抽样方案,并增加C3、C4检验的抽样要求; ———修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个 月(见7.2)。 ⅢGB/T14112—2015 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T14112—1993。 ⅣGB/T14112—2015