ICS 31.260 L53 DB35 福 建 省 地 方 标 准 DB35/T 1193—2011 半导体发光二极管芯片 2011 - 10 - 28 发布 福建省质量技术监督局 2012 - 02 - 15 实施 发 布 DB35/T 1193—2011 前 言 本标准的技术要求及试验方法主要参考行业标准SJ/T 11398-2009《功率半导体发光二极管芯片技 术规范》、SJ/T 11399-2009《半导体发光二极管芯片测试方法》和国家标准GB/T 4937-1995《半导体 分立器件机械和气候试验方法》的规定。 本标准按照GB/T 1.1—2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则》 给出的规则 起草。 本标准由厦门市质量技术监督局提出。 本标准由福建省信息化局归口。 本标准起草单位：国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心、厦门市产品质量监督 检验院、厦门市三安光电科技有限公司、厦门市标准化协会。 本标准主要起草人：刘毅清、葛莉荭、梁奋、陈晓玲、蔡伟智、傅诺毅、庄鹏、庄庆瑞、田力军、 李仲超。 I DB35/T 1193—2011 半导体发光二极管芯片 1 范围 本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、 检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的 测试可参考执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191-2008 包装储运图示标志（ISO 780-1997,MOD） GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法 GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分 总则（IEC 60749-1-2002,IDT） SJ/T 11395-2009 半导体照明术语 SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范 SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 3 术语和定义 SJ/T 11395-2009和SJ/T 11399-2009界定的术语和定义适用于本文件。 4 技术要求 4.1 标识和外观质量 4.1.1 标识 芯片包装容器的标签上应有正向电压、发光强度或光功率、波长、数量和标准容差等主要性能指标 的标称值及相应的型号规格，该型号规格对应的含义应在相关产品规格书中指明。 4.1.2 外观质量 芯片的外观质量应符合SJ/T 11398-2009中附录A的要求。 4.2 外形尺寸 4.2.1 外形 芯片的外形应符合相关产品规格书的要求。 1 DB35/T 1193—2011 4.2.2 结构参数 芯片的尺寸、厚度和焊盘尺寸等参数应符合相关产品规格书的要求。 4.3 光电特性 4.3.1 4.3.1.1 绝对最大额定值 发光二极管功率型芯片 绝对最大额定值如表1所示。 表1 发光二极管功率型芯片绝对最大额定值 参数 符号 1 数值 最小 最大 单位 贮存温度 Tstg -20 85 ℃ 结温 Tj - 125 ℃ - 250 ℃ - 5 s 焊接温度 Tsld (规定最长焊接时间) 反向电压 VR - 5 V 环境温度为 25℃下的直流正向电流 IF - 350 mA IFM - 500 mA 环境温度为 25℃下的峰值正向电流 （脉冲频率为 1kHz，占空比 1/10） 注：本表适用于额定功率 1W 的芯片，其它芯片参考采用。 4.3.1.2 发光二极管非功率型芯片 绝对最大额定值如表2所示。 表2 参数 发光二极管非功率型芯片绝对最大额定值 符号 Tstg 贮存温度 焊接温度 (规定最长焊接时间) Tsld 数值 单位 最小 最大 -20 85 ℃ - 250 ℃ - 5 s 反向电压 VR - 5 V 环境温度为 25℃下的直流正向电流 IF - 30 mA IFM - 100 mA 环境温度为 25℃下的峰值正向电流 （脉冲频率为 1kHz，占空比 1/10） 注：本表适用于面积 0.25mm×0.25mm 的芯片，其它芯片参考采用。 4.3.2 正向电压 芯片的正向电压应符合相关产品规格书的要求。 4.3.3 2 反向电流 DB35/T 1193—2011 芯片的反向电流应符合相关产品规格书的要求。 4.3.4 发光强度或光功率 芯片的发光强度或光功率应符合相关产品规格书的要求。 4.3.5 波长 芯片的波长应符合相关产品规格书的要求。 4.4 环境适应性 4.4.1 键合强度 键合强度应≥30mN。 4.4.2 剪切强度 2 剪切强度应大于（6.1×芯片面积）N，芯片面积单位为mm 。 4.4.3 温度循环 按本标准第5.5.3条进行试验后，应符合表6中C1分组的要求。 4.4.4 循环湿热（仅对空封器件） 按本标准第5.5.4条进行试验后，应符合表6中C1分组的要求。 4.4.5 振动 按本标准第5.5.5条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。 4.4.6 冲击 按本标准第5.5.6条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。 4.4.7 恒定加速度（仅对空封器件） 按本标准第5.5.7条进行试验后，应符合表6中C2分组的要求。 4.5 电耐久性 4.5.1 168h 电耐久性 按本标准第5.6.1条进行加电工作168h试验后，应符合表5中B4分组的要求。 4.5.2 1000h 电耐久性 按本标准第5.6.2条进行加电工作1000h试验后，应符合表6中C3分组的要求。 4.6 静电放电敏感度（适用时） 按本标准第5.7条进行试验后，应符合表6中C4分组的要求。 5 试验方法 3 DB35/T 1193—2011 5.1 测试条件 除另有规定外，本标准的试验应在GB/T 4937.1-2006中第4章规定的标准大气条件下进行。 5.2 标识和外观质量 5.2.1 标识 目视检查芯片包装容器标签上的标识，应符合4.1.1的要求。 5.2.2 外观质量 按SJ/T 11398-2009的附录A中规定的方法进行检验，应符合4.1.2的要求。 5.3 外形尺寸 5.3.1 外形 在垂直照明条件下进行目检，应符合相关产品规格书的要求。 5.3.2 结构参数 使用准确度符合要求的量具测量芯片尺寸、芯片厚度和焊盘尺寸，应符合相关产品规格书的要求。 5.4 光电特性 5.4.1 正向电压 按SJ/T 11399-2009中第5.2条规定的方法进行试验，应符合本标准中第4.3.2条的要求。 5.4.2 反向电流 按SJ/T 11399-2009中第5.4条规定的方法进行试验，应符合本标准中第4.3.3条的要求。 5.4.3 发光强度或光功率 按SJ/T 11399-2009中第6.1条规定的方法对芯片的发光强度进行检验，或按SJ/T 11399-2009中第 6.3条规定的方法对芯片的光功率进行检验，应符合本标准中第4.3.4条的要求。 5.4.4 波长 按SJ/T 11399-2009中第8.3条规定的方法对主波长进行检验，或按SJ/T 11399-2009中第6.4条规定 的方法对峰值发射波长进行检验，应符合本标准中第4.3.5条的要求。 5.5 5.5.1 环境适应性 键合强度 将芯片安装在管壳的底座上并进行引线键合，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路，组装 成半成品进行试验。键合强度试验按GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第6章方法B的规定进行，应符合4.4.1的 要求。 5.5.2 4 剪切强度 DB35/T 1193—2011 将芯片安装在管壳的底座上并进行引线键合，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路，组装 成半成品进行试验。剪切强度试验按GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第7章的规定进行，应符合4.4.2的要求。 5.5.3 温度循环 试验样品封装后，按GB/T 4937-1995第Ⅲ篇第1章中规定的“两箱法”进行试验： a) 低温 TA=-20℃±3℃， 高温 TB=85℃±2℃； b) 暴露时间 t1 为 30min； c) 转换时间 t2 为（2～3）min； d) 循环次数为 20 次。 试验完毕按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对试验样品的正向电压、反向电流、光功率、波长 进行测量。 5.5.4 循环湿热（仅对空封器件） 试验样品封装后，按GB/T 4937-1995中第Ⅲ篇第4章方法2的规定进行试验，试验高温为40℃±2℃， 循环次数为2次。试验完毕，按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对正向电压、反向电流、光功率、波 长进行测量。 5.5.5 振动 试验样品封装后，按GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第3章的规定进行试验。试验完毕，按SJ/T 11399-2009 中规定的试验方法对正向电压、反向电流、光功率、波长进行测量。 5.5.6 冲击 试 验 样 品 封 装 后 ， 按 GB/T 4937-1995 中 第 Ⅱ 篇 第 4 章 的 规 定 进 行 试 验 ， 峰 值 加 速 幅 度 为 2 980m/s (100g)，持续时间为0.5ms，半正弦波形。试验完毕，按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对 正向电压、反向电流、光功率、波长进行测量。 5.5.7 恒定加速度（仅对空封器件） 2 试验样品封装后，按GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第5章的规定进行试验，加速度为50000 m/s（5000g）， 持续时间1min。试验完毕，按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对正向电压、反向电流、光功率、波 长进行测量。 5.6 5.6.1 电耐久性 168h 电耐久性 试验样品封装后，按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对正向电压、反向电流、光功率、波长进 行初始值的测量，然后施加额定的工作电流，工作到168h时，去掉工作电流，试验完毕；最后对试验样 品的正向电压、反向电流、光功率、波长进行测量。 5.6.2 1000h 电耐久性 试验样品封装后，按SJ/T 11399-2009中规定的试验方法对正向电压、反向电流、光功率、波长进