ICS 31.080.99 CCS L 90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T43493.3—2023/IEC 63068-3:2020 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法 Semiconductor device-Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbidehomoepitaxial waferforpower devicesPart 3:Test methodfor defects using photoluminescence （IEC63068-3:2020.IDT) 2023-12-28发布 2024-07-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

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GB-T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

GB-T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法